La industria de semiconductores en China enfrenta importantes desafíos en su capacidad para producir chips de memoria avanzados a gran escala. Un ejemplo de esta situación se refleja en los teléfonos Huawei Mate 70 Pro, que integran chips de memoria DRAM y NAND fabricados por SK Hynix, una compañía surcoreana líder en el sector. Según un análisis de TechInsights, los chips DRAM del Mate 70 Pro fueron producidos utilizando litografía de 14 nm y equipos de ultravioleta extremo (EUV) de SK Hynix. Esto contrasta con la estrategia previa de Huawei, que había apostado por utilizar componentes fabricados localmente, como los desarrollados por empresas chinas como Changxin Memory Technologies (CXMT) y Fujian Jinhua.

Aunque estas compañías han demostrado un notable avance en la producción de memorias, aún no logran fabricar en masa ciertos tipos de chips de última generación, como las memorias DDR5 o los HBM (High Bandwidth Memory), esenciales para aplicaciones como inteligencia artificial y computación de alto rendimiento. Esto se debe, en gran parte, a la falta de acceso a equipos avanzados de fotolitografía producidos por empresas como ASML, una barrera que limita la competitividad tecnológica de los fabricantes chinos.

La dependencia de Huawei de proveedores internacionales como SK Hynix subraya la brecha tecnológica que persiste en el sector de los semiconductores en China. Mientras tanto, el país continúa invirtiendo en investigación y desarrollo para fortalecer su capacidad de producir chips de memoria avanzados de manera autónoma.

Estos retos destacan la importancia de la colaboración global y la innovación tecnológica en una industria cada vez más estratégica para la economía digital. La capacidad de superar estas limitaciones será crucial para que los fabricantes chinos puedan competir en igualdad de condiciones con gigantes como Samsung, Micron y SK Hynix.