China ha logrado un avance significativo en la tecnología de transistores, a pesar de las restricciones internacionales que limitan su acceso a chips de silicio. Un equipo de científicos de la Universidad de Beijing ha desarrollado un transistor bidimensional basado en bismuto, que promete ser un 40% más rápido que los transistores tradicionales de silicio y reducir el consumo energético en un 10%.

Este transistor, que utiliza una estructura ultrafina de bismuto, tiene la ventaja de ser mucho más eficiente en la interacción con los electrones debido a su disposición bidimensional, similar al grafeno. Su diseño permite una mayor flexibilidad y resistencia, lo que lo convierte en una opción prometedora frente a los transistores convencionales, cuyos límites físicos ya están cerca.

La creación de este nuevo transistor no solo responde a las sanciones internacionales que impiden a China acceder a tecnología avanzada de silicio, sino que también abre nuevas posibilidades para la computación, especialmente en la reducción del tamaño de los chips sin perder rendimiento. Aunque su tamaño actual es demasiado pequeño para aplicaciones comerciales, los científicos planean escalarlo para adaptarlo a obleas convencionales.

Este avance forma parte de la creciente tendencia de utilizar materiales bidimensionales, considerados la clave para superar los problemas que enfrentan los chips de silicio al acercarse a sus límites físicos. A medida que la tecnología avanza, estos transistores podrían jugar un papel crucial en la evolución de la computación a niveles más rápidos y eficientes.